JSM50N06C 60V N沟道MOSFET TO-220封装

JSM50N06C 是杰盛微生产的60V N 沟道 MOSFET，采用TO-220AB 封装，核心优势包括低本征电容、优异开关特性、扩展安全工作区及100% 雪崩测试验证；关键电参数为：BVDSS=60V、ID=50A（Tc=25℃时，Tc=100℃时为 35.4A）、RDS (on) 最大 22mΩ（@VGS=10V、ID=25A）、总栅极电荷 Qg 典型值 31nC；同时具备明确的热特性（如 RθJA 最大 62.5℃/W）、完善的电气特性（含关断、导通、动态、开关及漏源二极管特性）及多组典型特性曲线，适用于对电压、电流及开关性能有明确要求的电子应用场景。可替代直接替代IRFZ48。可替代SI2308 #国产芯片 #杰盛微 #芯片?#工程师选型指南# MOSFET