JSM2302 N沟道MOSFET赋能低功耗电子设计

Channel: 杰盛微半导体JSMSEMI
Description: JSM2302 是 JSMICRO 生产的N 沟道 MOSFET，采用SOT-23 塑封封装，核心优势为芯片运用超高密度圆胞设计技术实现低RDS(ON)?导通电阻；主要用于电池管理、高速开关、低功率 DC-DC 转换场景，印章代码为A2SHB，引脚定义为 PIN1:G（栅极）、PIN2:S（源极）、PIN3:D（漏极）

09/25 11:41 作者：杰盛微半导体JSMSEMI

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JSM2302 是 JSMICRO 生产的N 沟道 MOSFET，采用SOT-23 塑封封装，核心优势为芯片运用超高密度圆胞设计技术实现低RDS(ON)?导通电阻；主要用于电池管理、高速开关、低功率 DC-DC 转换场景，印章代码为A2SHB，引脚定义为 PIN1:G（栅极）、PIN2:S（源极）、PIN3:D（漏极）；关键参数（Ta=25℃）包括极限参数VDSs=20V、ID=3.0A（连续漏极电流）、IDM=10A（脉冲漏极电流）、PD=0.9W（功率损耗）?，电性能参数VGS (th)=0.50-1.0V（栅极阈值电压）、td (on) 典型值 7ns（导通延迟时间）?，可通过多类电参数曲线图直观查看性能变化。可替代IRS2302