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07/28 07:19 作者：杰盛微半导体JSMSEMI

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JSM2000G是一款快速、高压侧N沟道 MOSFET 栅极驱动器，采用高达 250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道 MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。

JSM2000G 采用 SOP-8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作，可应用于：高边开关控制器、静态开关驱动器、负载和电源开关驱动器、电子阀驱动器、高频高压侧栅极驱动器、光伏关断器。可直接替代LTC7001

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