SiC技术助力高效电驱系统

当前，电驱系统正朝着高电压、高功率密度和高可靠性的方向发展。

安森美中国区汽车现场应用技术经理卢航宇表示，新能源汽车从400V平台向800V平台过渡，部分车型甚至已在尝试1000V以上的电压平台，这对功率器件的耐压能力提出了更高要求。以800V平台为例，需要采用1200V的功率器件来适配，更高电压平台未来将需要1400V或1500V等级的器件支持。此外，电机朝高转速方向发展，带来了对器件更高开关频率的要求，进而增加了开关损耗。因此，提升功率器件在高频条件下的表现，成为关键技术挑战。

针对碳化硅与传统IGBT的关系，卢航宇认为，二者并非完全替代，而是互补使用。IGBT依然适用于400V平台和中低功率场景，而碳化硅更适合中高压、高功率应用。尽管当前IGBT在成本上仍有优势，但随着碳化硅价格持续下探，其应用范围正逐步扩展至中低价位车型，包括混动和增程车型。

安森美的碳化硅产品已迭代至第三代。最新的EliteSiC?M3e?MOSFET于去年第一季度量产，相较上一代均提升了20%至30%的性能。下一代产品将转向沟槽栅结构，预计将在明年量产，进一步提升导通与开关性能。

在封装方面，安森美推出了多种碳化硅模块解决方案，包括即将上市的半桥塑封模块。该模块具备低杂散电感和高可靠性特性，通过先进的银烧结实现了低热阻和高性能。支持多芯片并联配置，以满足不同客户需求。

在制造方面，安森美目前已量产6英寸碳化硅晶圆，并从2024年起逐步向8英寸晶圆转移。其8英寸衬底与外延产线已建成，具备年产100万片8英寸晶圆的能力，以提升产能、优化成本结构。

在可靠性方面，安森美的碳化硅器件遵循AEC-Q101和AQG324标准，同时进行加严测试。包括1400V下的10小时高压测试、200°C下400小时高温加测，以满足极端工况下的要求。此外，动态偏压、高压应力等多项测试也全面覆盖，确保器件在电驱系统中的长期稳定运行。

面对快速发展的中国新能源汽车市场，安森美已建立起本地化的应用支持团队，涵盖FAE、质量与产品团队，以更高效响应客户需求。

关于未来技术方向，卢航宇透露，安森美正积极推进多项系统级创新。例如将碳化硅芯片嵌入PCB，以实现更低杂散电感和更高集成度。