【RISC-V 沁恒微-CH585M-R1开发板试用体验】7. Flash编程

stm1024

今日测试一下Flash数据的读写。
根据手册的说明，CH585的Flash包含了如下的构成：

我们下载的程序是448KB的应用程序CodeFlash区域，然后我们自定义的一些数据则存放在了32KB的DataFlash区域，这块区域是可以编程修改数据的。
写一个向Flash中写数据的测试样例演示如何写入数据，至于读取数据就更加简单了，这里略过，相信看过官方示例的童鞋可以毫无压力地写出测试代码。
向Flash中写入用户数据的代码，不精简的情况下，也就20行：

EEPROM在写入前，要擦除，其最小单位是按页，这个可以通过外设代码中看到：

可见一页的大小为256字节，这里我们直接使用了一个块，大小为4096字节。
然后准备一个缓冲区，向其中写入了0x00到0xff这256个字节，调用API即可完成工作。

编译完成以后写入单片机中并运行，随后使用WCH单片机编程工具，然后在下载模式下，使用Ctrl+E打开DataFlash编辑，点击“读数据”按钮，就可以将刚才写入的数据读取出来了：

可以看到从地址0x00到地址0xff，已经填充好了相应的数据。
此外，我们也注意到，整个DataFlash区间的大小为0x000-0x7fff，一共是0x8000个字节，也就是32768字节，亦即32KB，和前面的说明相呼应。

好了，今日测试就是这样。