一种新型无运放CMOS带隙基准电路

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介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路，设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用 ＭＯＳ电流镜和负反馈箝位技术，避免了运放的使用，从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于０．１８μｍ 标准 ＣＭＯＳ工艺，在 ＣａｄｅｎｃｅＳｐｅｃｔｒｅ环境下仿真。采用２．５Ｖ 电源电压，在－４０ ℃～１２５ ℃温度范围的温度系数为６．７３×１０－６／℃，电源抑制比为５４．８ｄＢ，功耗仅有０．２５ｍＷ。