一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

caroline11

摘要:基于标准0.35umCMOS工艺，采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压，与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比，获得了一个电路结构简单，性能更好的带陈基准源。使用Hspice进行仿真，仿真结果表明电路可以在一20-100℃范围内，平均温度系数约2 ppm/9C，工作电压为1V左右，获得了一个高性能的带陈基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。