MOS 电容器

caroline11

在一个 n 通道场效应管中，我们在剩余电子区域（就是源极和漏极），在 P 区域产生一对势垒电子，然而，在这个装置中，门极电压 VGS调节电势垒高度，这个装置的核心是金属氧化物电容器，也就是今天我们研究的对象。