MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模

caroline11

摘 要 :采用一种利用 TCAD 仿真提取 MOS 器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数 ,对 MOS 器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS 器件是一种重要的静电放电防护器件 ,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用 TCAD 仿真工具对 MOS 器件的二次击穿进行宏模块建模 ,该模型能够正确反映 MOS 器件二次击穿的深刻机理 ,具有良好的精确性和收敛性 ,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护**的抗静电冲击能力有重要意义。