回答

收藏

ADS下CMOS低噪声放大器的设计优化

其他 其他 1682 人阅读 | 0 人回复 | 2022-10-08

摘 要 :运用仿真工具 ADS ,通过对 CMOS 共源共栅低噪声放大器的共源级栅宽 ,源级电感以及栅极电感值的扫描仿真 ,以 Smith 阻抗圆图的形式给出了一个直观的 LNA 设计优化流程 ,近似实现了最佳噪声源阻抗和输入阻抗的同时匹配。按照该方法设计的基于 0. 18μm CMOS 工艺 ,工作在 1. 58 GHz 的低噪声放大器 ,其噪声系数为 1. 3 dB ,S11 为 - 28. 4 dB ,功耗为 3. 42 mW ,从而很好地证实了该方法的可行性。

ADS下CMOS低噪声放大器的设计优化.pdf

749.6 KB, 下载次数: 2

分享到:
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 注册/登录

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /3 下一条