MOS开关管的损耗计算

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        1、开通损耗
        MOS管在开通过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下

Rds（on）为Mos管的导通电阻，会随着MOS管结温的变化而变化，一般MOS的Datasheet中都会给出一个温度变化曲线，可以参考改曲线取值。

Idrms为导通过程中的电流有效值

Ton为一个周期内的导通时间

F为开关频率

3、关断损耗

MOS管在关断过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下

Idss为Mos管截止时在实际结温情况下的漏电流，可以参考器件手册取一个合适的值。

Vds为截止时Mos管DS之间的电压

Toff为一个周期内的截止时间

f 为开关频率

另外还有门级损耗和输出电容损耗，还有Mos内部寄生二极管的功耗。因对整体Mos管的公号影响不大且涉及到具体的应用和各个管子的参数不同，这里 不再详细叙述。

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今天还发了一篇帖子：MOSFET开关损耗的计算  http://www.fairchildic.org/module/forum/thread-797-1-1.html   与这篇帖子是相近的内容

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haohus