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ASR1P5N1200MED-A(Ed3)碳化硅(SiC)1000A功率模块
1.46 MB
MED (Ed3)系列碳化硅(SiC)功率模块
1. 采用真空回流焊工艺,Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷,最高工作结温175℃;
2. 功率密度高,适用高温、高频应用,超低损耗;
3. 常关功率模块,零拖尾电流,寄生电感小于15nH,开关损耗低;
4.?参数范围:
? ? VDS:650~1700V
? ? ID:210~1000A
? ? RDS(on)?:1.3~8.7mΩ
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研发设计碳化硅MOS管与SiC模块,芯片+模块+应用三位一体模式