EOS备注:
? 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
? 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
? EOS的损坏本身不是根本原因!
? EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
? 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
? 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
? 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
? 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
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EOS备注:
? 一般EOS定义:“由应用于半导体元件的电气条件超过限值而导致的损坏”。
? 破坏性水平取决于在一定时间内施加的能量量。
? EOS的损坏本身不是根本原因!
? EOS的损坏可能是连续故障机制的结果。
? 极端的损坏可能掩盖了根本原因的证据。
? 任何设备在某个时候都可能受到损坏。
? 不可行的是能够承受所有EOS威胁的设备(由于成本和物理限制/最大额定值)。
? 要确定根本原因,需要尽可能了解设备失败的条件。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MDF7-22S-2.54DSA(56) | 1 | Hirose Electric Co Ltd | Board Connector, 22 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle, ROHS COMPLIANT |
|
|
$4.69 | 查看 | |
| 2N7002BK,215 | 1 | Nexperia | 2N7002BK - 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET@en-us TO-236 3-Pin |
|
|
$0.29 | 查看 | |
| P409CE104M250LH101 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.1uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
|
|
暂无数据 | 查看 |
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