12英寸GaN！又有2家企业传来新进展

10月20日，据“东微半导体”官方消息，其与晶湛半导体已于10月17日联合宣布达成战略合作。双方将发挥各自优势，采用主流的12英寸CMOS实验线研发12英寸硅基氮化镓HEMT晶体管，共同推进12英寸硅基氮化镓功率器件的产业化进程，为氮化镓功率器件在消费电子、工业电子等领域的广泛应用奠定基础。

据消息，为确保合作有序推进，项目将分阶段推进，初期专注于基础外延工艺和器件结构工艺平台的搭建与优化；中期目标是在特定应用领域推出原型产品；长期则计划构建覆盖材料、设计、制造、封测、应用等全产业链环节的12 英寸氮化镓技术生态系统。

从企业近期表现来看，东微半导体在2025年上半年展现出良好发展势头，营收实现逐季回升，为此次合作提供了坚实的业务支撑：

第一季度：实现营业收入2.83亿元，同比大幅增长63.42%；

第二季度：实现营业收入3.33亿元，同比增长35.11%。

而作为合作方的晶湛半导体，在氮化镓外延材料领域深耕多年，尤其在12 英寸硅基氮化镓技术上早有突破性成果。早在2014年，晶湛半导体便在全球率先发布商品化 8 英寸硅基氮化镓外延片产品；2021年9月，又成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术，推出适用于200V、650V和1200V功率半导体器件的高质量300mm GaN-on-Si HEMT外延片。该产品不仅具备优异的厚度均匀性，还能实现低晶圆翘曲，为后续采用更复杂精密的 300mm CMOS 兼容工艺线制备氮化镓芯片奠定了坚实基础。

（a）晶湛半导体300mm GaN-on-Si HEMT外延结构示意图

(b)AlN成核层XRD(002) FWHM分布图， Avg=743arcsec（Std=2%）

在东微半导体与晶湛半导体推进合作的同时，全球范围内多家企业也在12 英寸氮化镓领域加速布局，近期动态不断：

英飞凌：7月在官网宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓制造技术进展顺利，首批样品计划于 2025 年第四季度交付客户；

Imec：10月官方宣布启动300mm GaN项目，旨在开发先进功率器件并降低制造成本，预计到 2025 年底，其 300mm 洁净室将具备完整 300mm 生产能力；

德州仪器：2024年初已成功开展在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺的试点项目。此外，德州仪器扩展后的 GaN 制造工艺可全面转为采用 12 英寸技术，使其可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为 12 英寸技术做好准备。

此外，“行家说三代半”发布的《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，对全球 12 英寸氮化镓进展进行了梳理。白皮书指出，目前全球已有多家企业已经实现了12英寸GaN的技术研发突破，预计单颗GaN芯片的成本将比8英寸降低20%以上。不过12英寸GaN实现规模化量产仍需时间，从技术维度来看，低压GaN器件未来有望率先采用12英寸生产线。