2026年存储还将涨价缺货吗？

进入2025年下半年，全球存储器的主旋律是“涨价+缺货”。其中DRAM 与 NAND 自年初持续上行，涨势料延续至 2026；HBM 因 AI 服务器爆发极度吃紧，挤占通用 DRAM 产能，DDR4 缺口扩大。虽三星、SK 海力士、美光等交期难精确量化，但库存下探、报价上行与配售趋严，指向“高价 + 长交期”。 自 2024 年四季度起库存回落与交期改善延续至 2025 年，同时 AI 场景（HBM、企业级 SSD）拉动形成“局部短缺—整体稳定”的剪刀差。预期也在加剧紧张：有机构预计 2025 年末 DDR4 较年初或涨约 50%，产能缺口 10%—15%；NAND 或在下半年由过剩转短缺，促使买方备货、放大交期不确定性。叠加地缘与原材料（如镓、锗）管制引发的成本与可得性波动，2025 年四季度供应链管理仍处高不确定区间。

9 月 25 日，慧荣科技总经理苟嘉章在 GMIF 2025 大会上表示“明年仍将大缺货，尤以 NAND 为甚”，并呼吁避免低价无序竞争、转向协同扩产与结构均衡。本文将主要根据近期存储行业的供需波动和价格波动，展望2026年的存储市场。

供需原因，为什么存储会缺货？

首先看需求侧，核心驱动在于AI与云计算带来的爆发式需求，AI服务器、AI PC、AI手机对高性能大容量存储（HBM/DDR5）呈指数增长。

1）数据中心：生成式AI把“算力—内存—存储”一体化优化推到台前。训练侧HBM/DDR5承载参数与中间态，企业级SSD承载语料与多媒体数据集；推理侧瓶颈快速前移至KV Cache，随上下文与并发上行，HBM/DRAM成本与容量成为主矛盾。产业因此推动“HBM+DRAM+SSD”三级缓存，部分KV Cache卸载至SSD，在可接受时延下实现容量扩展，并催生“AI SSD”等形态以持久化长序列对话历史。

2）终端：AI手机/PC带来稳定增量。旗舰手机在2024–2025年普遍采用12/16GB LPDDR5X与UFS4.0 256GB起步，高端加速迈入512GB/TB；主流安卓旗舰已可本地部署约70亿参数模型，随本地能力上限提升，整机对内存与UFS带宽/容量的“刚需化”趋势强化。PC侧，12/16GB正成为AI PC“起步线”，未来向更大容量演进的路径清晰。

3）新形态：AI眼镜开启新增量。多数方案以ePOP（LPDDR4/4X+NAND）为主，存储在主板BOM中的权重仅次于处理器；随着应用从“录摄+字幕”走向“多模态随身助理”，容量与带宽的稳步抬升将带来“长尾但可持续”的结构性增量。

三星、SK海力士、美光自2024年起系统性下调DDR4/LPDDR4X等成熟制程比重，资本开支与产线继续向HBM/DDR5倾斜，成熟DRAM由此形成约15%–20%的缺口。HBM扩产涉及TSV、减薄、微凸点等复杂工艺，良率爬坡与节拍扩张均非“一键放大”，产能高度集中强化了对通用DRAM的“挤占”。NAND端原厂维持“克制扩产”，位元供给增长节奏趋于可控。同时，近线HDD因多年轻投资造成交期拉长至约52周，北美CSP被动将部分冷更热数据迁移至企业级SSD，进一步拉动高层级NAND需求。更深层约束是“产线不可逆”：在先进节点回撤生产DDR4将显著抬升单位成本与良率风险；上游库存已连续多个季度去化至低位，模组侧“停报、控货、阶梯涨价”强化价格黏性。

国内方面，长江存储、长鑫存储在NAND/DRAM两端加速扩产与工艺爬坡，2024年国产NAND份额约9%、DRAM超5%，可承接部分利基增量与区域需求，但短期仍难完全对冲国际头部在成熟制程的主动压降。

在缺货的存储种类中，HBM最为紧缺。三大原厂2024年产能已售罄、2025年基本锁定，机构判断明年仍存两位数缺口，反映出对AI训练/推理内存带宽的极致诉求。通用DRAM受“挤占效应”冲击最重：产能优先投向HBM/DDR5后，DDR4被持续压缩，局部出现“DDR4贵于DDR5”的倒挂，这既是供给收缩的价格表征，也折射出下游对存量平台与长尾应用的刚性需求。部分低容量NAND（如SLC）在特定工业/嵌入式领域亦现紧缺，显示“高端带动+长尾紧俏”的并存景象。整体格局已从“过剩”快速切换到“短缺”。

笔者认为，相比需求侧，本轮存储紧缺供给侧的原因更为明显。原厂为对冲2023年低迷在2024年上半年主动减产，叠加地缘不确定与先进制程迁移，放大了紧张。传导路径上，“原厂提价—合约收紧—现货跟涨—模组封盘—终端调价”的链条形成闭环，价格黏性显著抬升。量价齐升推动2025年行业规模上行，逼近历史高位。

三大原厂涨价，开启存储紧缺信号

本轮存储紧缺的信号首先从三大厂商涨价开始，从模组厂商开始爆发。

三星扩充 HBM、拟四季度 DRAM/NAND 上调 15–20%，并逐步退出 DDR4；海力士凭 HBM 优势以控产与调结构稳利润；美光跟进提价并调整产能以应对强需。

威刚、十铨先后暂停对外报价，为2017年以来首次集体停报：威刚称停至10月中旬以控库存与配售，9月营收52.44亿元创19年单月新高（同比+61%），前三季371.73亿元（+22.9%）；十铨因旺季叠加原厂供给有限、渠道去库超预期而弹性销售并停报。价格自一季度触底后持续抬升：4月闪迪开启年内涨价，9月再提逾10%；美光随后通知通路 DRAM 拟涨20–30%并短暂停报。

三季度起涨价信号开始密集出现。威刚停止 DDR4 报价、将 DDR5 与 NAND 资源优先供给大客户；群联恢复部分产品报价并上调约10%，标志 NAND 涨价。上游态度转强、渠道库存紧平衡，推动合约价对现货价持续“补涨”，价差收敛。短期看，DDR4 在供给收缩与备货驱动下仍具20–30%涨幅定价权；NAND 相对稳，高规格随数据中心需求更具韧性；HBM/LPDDR5 持续紧缺且价格黏性高。原厂以配售/签量/交期绑定提高议价能见度，渠道“控货+分波次报价”对冲波动；高端 DRAM 与先进封装交期拉长成常态，整机厂需更早锁料。

涨价周期中，库存结构与议价力优的模组厂直接受益：威刚、群联、宇瞻、十铨、创见、宜鼎等有望凭库存重估与产品结构改善释放弹性。南亚科8月营收67.63亿元、EPS 0.26 元，已扭亏；华邦电、力积电同样受益于 DDR4 合约价追赶现货。数据中心侧冷数据管理重估，近线 HDD 阶段性短缺带动高容量 SSD（尤其 QLC）受关注，产业预期 2026 年或迎来 QLC SSD 更明显放量。

从历史交期来看，2021Q3 至 2023 初闪存三大厂 DRAM 交期约 5 周→14/17/16 周；紧缺期 PC DRAM/SSD 曾达 52–54 周。基于 2025 年供需失衡，当前行业平均或在 10–15 周以上，DDR4/HBM 更长，极端情况下不排除再现 50+ 周交期。库存端来看，至 2025 年二季末三星与海力士 DRAM 库存或降至 4–5 周的偏低水平。

不同种类存储价格动态

从价格波动数据来看：

存储原厂中闪迪率先对渠道与 C 端整体上调 10%+；美光随后对 DDR4/DDR5 与 LPDDR4/5“停报”，并提示 20%～30% 涨幅区间；三星于 9 月下旬确认 Q4 提价：LPDDR4X、LPDDR5/5X +15%～30%，eMMC/UFS +5%～10%。财务口径上，美光给出 9–11 月 Non-GAAP 毛利率 50.5%–52.5% 指引，显著高于一致预期，印证价格环境持续改善。研究机构TrendForce的判断更直接：4Q25 DRAM 合约价环比 +13%～18%，NAND 合约价 +5%～10%（高于 3Q25 的 +3%～8%）。

存储品类涨价驱动分析，来源：与非研究院整理

DRAM：价格领涨，通用型缺口最紧。 今年以来 DRAM 指数涨幅（+47.7%）显著强于 NAND（+9.2%），反映 AI 对带宽/容量的偏好正在改写价值分配。多家机构预计 4Q25 DRAM 合约价环比 +15%~20%（若计入 HBM，3Q/4Q 或分别 +15%~20% / +13%~18%）。更前瞻的判断来自供给侧：由于原厂晶圆产能大量转向 HBM，2025 年非 HBM DRAM 供应不足率或高达 23%，通用型（尤其 DDR4）缺口最为突出。展望全年，DRAM 收入在 2024 年 +75% 至约 907 亿美元 的高基数上，2025 年仍望 +51% 至 1365 亿美元；ASP 在 2024 年 +53% 后，2025 年再 +35%。结构上，旧制程/通用型（DDR4/LPDDR4 等） 受“先进产能被 HBM/Server DRAM 挤占”影响更紧，Q4 涨幅仍具看点；DDR5 景气延续，但因原厂配置优先与基数抬升，涨势相对温和。

NAND：稳中有升，高密度优先、企业级更强。 相较 DRAM，NAND 上行更“稳态化”。主流预测指向 4Q25 合约价 +5%～10%（或 8%～13%）、3Q 为 +3%～8%；年初至今指数 +9.2%。需求结构决定“量价逻辑”：企业级 eSSD 在 CSP 备货、QLC 占比提升 与 HDD 偏紧 的共振下，容量与出货齐升；手机端 QLC UFS 逐步渗透，带来成本梯队与高容量机型的结构优化。供给侧则呈“高层数资源趋紧”：高堆叠 3D NAND 与 V9（约 290 层） 资源接近售罄、提前锁单，部分 SLC 亦偏紧。对应收入口径，2024 年 +77% 至约 674 亿美元，2025 年或再 +29% 至约 870 亿美元。

DRAM 合约价格趋势，来源: TrendForce、与非研究院整理

2025年初至7 月初，NAND 综合价格指数 +9.2%，DRAM 综合价格指数 +47.7%；仅 6 月，NAND 环比 +0.8%，DRAM 环比 +19.5%。这一轮上行最突出的特征是“结构性紧平衡”：以 DDR4/LPDDR4X 为代表的通用 DRAM，2024 年下半年仍供过于求，至 2025 年上半年迅速转为供不应求，并牵动服务器与消费终端的价格体系。CFM 闪存市场预计，在 DDR4、DDR5、HBM3E 的 ASP 与 bit 出货同步走强、叠加 NAND 单价回稳带动下，2025 年全球存储市场规模有望达 1932 亿美元，创历史新高。

更值得关注的是合约—现货“价差收敛”与结构性“倒挂”：7 月 PC 通用 DDR4 8Gb（1G×8） 固定价均价 3.90 美元，环比 +50%，连续四个月显著上行；2025 年 6 月下旬，DDR4 现货价首次超越同规格 DDR5，部分 16Gb DDR4 报价甚至高出同容量 DDR5 约一倍。其本质并非短期错配，而是供给侧结构约束的集中体现：HBM 与 DDR5 加速渗透挤占先进产能，旧制程/旧规格产线被持续压缩，而长尾应用与存量设备的 DDR4 刚需 被瞬时放大。

现货与零售侧的“体感价”更剧烈：DDR4 16Gb 单月涨幅一度超 40%、高点逼近 20 美元；终端零售中，DDR5 6000 C36 16GB×2 由年中约 442 元 涨至 908 元（+105%），DDR4 3600 C18 16GB×2 由 359 元 涨至 778 元（+116%），服务器向 DDR4 ECC 64GB 由 290 元 涨至 980 元（+238%），“一货难求”成为 9–10 月关键词。

根据笔者走访多家存储厂商专业人士的意见，对 10 月价格的最新预估包括：DDR5 合约价或涨 10%~15%、现货 +15%~25%；DDR4 合约与现货涨幅均 >10%。2025 年 Q4 至 2026 年 Q1 合约价单季或 +15%~20%；部分原厂已对 10 月合约提出约 +10% 涨幅；V9 资源趋紧、V8 货源争抢外溢；闪迪、美光先后释放涨价信号以匹配 2026 年 的供给紧约束。

总结：为什么本轮存储紧缺会持续这么久？

历史存储周期波动驱动因素分析，来源：与非研究院整理

笔者认为，本轮由 AI 驱动的存储紧缺“超级周期”，不是需求上涨所致，主要由供给端转型导致，行业景气大概率贯穿2026 年，强度与确定性均明显强于上轮周期。

为什么这次紧缺会持续这么久呢？一个原因是AI 训练/推理特别吃“速度”：过去我们看“容量够不够装”，现在更看“速度快不快、响应快不快”。于是HBM这种可以打破内存墙，提升AI运算速度的存储就变得非常重要。目前来看，各大厂商的HBM产能都还不够，因此紧缺和涨价是必然的。

第二个原因是新一代的DDR5/LPDDR5X正在替代老一代的DDR4。对于存储厂商来说，现在会优先将产能挪到高端、利润更好的产品（HBM、DDR5），老产品（DDR4）自然就少了，结构性“偏紧”就来了。除此之外，不仅是存储颗粒紧缺，连封装、控制器、载板这些配件也紧，交货期被整体拖长。

为什么存储紧缺会延续这么久呢？排除“人为炒作”等阴谋论，其实是因为供应端的产能提升，不是短短几个月能搞定的，新建一条产线，往往需要一年甚至更长时间，即便扩产，还要爬坡（良率、封装工艺等）。对于原厂来说，也不能一涨价就贸然增加产能，如果大型云厂商削减投资，或者手机/PC 的 AI 功能推进比预期慢，涨势会变缓。如果HBM 的良率/产能突然爬得很快，紧张会缓解，价格可能会下降。

所以，笔者认为，未来从上游原厂，到下游模组、整机厂商，都要做好供应链管控。

原厂要稳住节奏，优先把 HBM/DDR5 做扎实，用长期合约把关键客户、关键产能“绑”牢。

模组厂按客户重要性与项目紧急度分配货源，报价分批次、分容量、分时段。整机、方案商要尽快把平台适配到 DDR5/企业级 SSD，早点锁料、给交期留余量，用“多供应商+可替代BOM”降低单点风险。

最后，这一轮上涨周期中，短期价格的波动并不重要，对于从业者来说，“能否稳定供货、持续交付、做长期”更加重要。

在 2026 年前后，谁能更早把 HBM/DDR5/QLC 的产品、工艺、认证打通，谁有更稳的长协资源、更灵活的 BOM 多来源，谁就能把“涨价的阶段性红利”沉淀为长期的份额与口碑。