芯耀
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在近日的半导体市场风暴中，有一个缩写比“AI”还更炙手可热——那就是 HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）。
随着英伟达、谷歌、微软等科技巨头在AI算力端的大手笔布局，HBM这一关键配套器件的供不应求、价格飙升成为业内共识。对中国半导体厂商而言，这背后或许正暗藏一次重塑产业格局的重大历史机遇。
一、为何HBM能暴涨？
1. AI算力扩张催生“内存墙”危机
在AI训练与推理中，模型规模越来越大、数据流通越来越密集，传统DDR/GDDR等存储难以支撑其高带宽、低延迟要求。HBM通过3D堆叠、宽总线、近芯连接等方式，能够在功耗可控的条件下提供远超传统内存的带宽，是应对“内存墙”的重要路径。业内机构指出，HBM已成为解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量受限问题的主流选择。
2. 供给有限、扩产难度大
HBM的制造涉及高难度的封装、硅穿孔（TSV）、晶圆制程与封装-测试协同等多个环节，每一步都有极高良率门槛。全球目前真正具备大规模量产能力的只有三星、SK 海力士、美光这三家巨头。而这几家厂商在AI内存需求前的扩产节奏甚至难以完全跟上，已出现“产能售罄”状态。SK 海力士曾公开表示，其 2024 年的 HBM 产能已全部预售。
3. 溢价空间可观
在供需极度紧张的态势下，HBM 的单片价格远高于传统 DRAM，而其毛利率、议价能力也极强。市场研究机构预测，随着存储巨头生产重心向高端 HBM 倾斜，通用 DRAM 市场将出现空白区间，为其他竞争者释放空间。
二、中国厂商的潜在突破口在哪里？
HBM 被巨头垄断、进入门槛高，但这并不意味着中国厂商无路可走。相反，在这次产业重构中，中国厂商拥有几条可能的“厚积薄发”路径。
1. 从 “中低端 DRAM/封装”切入，争夺细分利基
三星、SK、美光大举向 HBM 倾斜，有意弱化在通用 DRAM 或中低端市场布局。这恰给中国存储厂商一道切入通用 DRAM、自主封装、封装测试、晶圆代工服务的窗口。国产厂商可以先在 DDR、LPDDR、GDDR 等更成熟的品类站稳脚跟，积累工艺、良率、资金与人才，再向高阶 HBM 渗透。
2. 以差异化 / 定制化为突破HBM
并非一刀切。AI 芯片厂商对功耗、接口、散热、带宽、延迟等维度存在各自诉求，定制化 HBM 已经成为趋势。行业观察认为，到 2030 年，定制化 HBM 市场规模将达到“数百亿美元级别”。 中国厂商若能在中高端定制 HBM（如针对国产 AI 芯片做优化）上抢占制高点，就有可能绕开直接与三巨头正面竞争的壁垒。
3. 技术替代 / 异构路线：绕开 HBM 也可能是方向
值得注意的是，国内部分技术巨头并不将突破 HBM 垄断视为唯一路径。例如，华为就曾提出“用硅光互联 + 芯片间高速链路替代部分 HBM 通道”的设计方案，试图在不完全依赖 HBM 的情况下确保高带宽性能。 从更远看，还有学界在探索“内存近计算（Processing-in-Memory, PIM）”等架构创新，以减弱对传统 HBM 的依赖。若中国厂商能在异构架构、协同设计、堆栈内存控制等方面抢先突破，也可能成为未来竞争者。
4. 国家政策驱动与资本支持：弥补劣势
中国政府在半导体领域的战略投入与产业协同调度能力，是国外厂商难以比拟的优势。若能在关键材料、设备、EDA 工具、先进封装、TSV、测试设备等环节实现突破或国产替代，将为 HBM 化之路筑起可靠基础。比如，已有报道指出，长江存储正在谋求进军 DRAM / HBM 芯片制造。 还有媒体指出，中国的存储芯片巨头正借机在封装、测试等中游环节抢占更大话语权。
总的来说，中国厂商不一定要一步到顶、击败三星/SK/美光，而是在多条赛道上累积能量，待时机成熟再发力。
